Numărul de produs al producătorului:
STF9N65M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STF9N65M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventar:
853 Piese Noi Originale În Stoc
12875341
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STF9N65M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
20W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
STF9
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-15037-5
-497-15037-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK5A65W,S5X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK5A65W,S5X-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STD18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
STD10PF06-1
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
STB85NF3LLT4
MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK