Numărul de produs al producătorului:
STD8NM60N-1
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STD8NM60N-1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
12879501
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STD8NM60N-1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
70W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I-PAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
STD8N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPU80R750P7AKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1500
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPU80R750P7AKMA1-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STF2N80K5
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
SCT1000N170
HIP247 IN LINE
STD20NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
