Numărul de produs al producătorului:
STD6NM60N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STD6NM60N-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12878290
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STD6NM60N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
STD6N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD80R1K2P7ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
14924
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD80R1K2P7ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TSM60NB900CP ROG
PRODUCĂTOR
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
2480
DiGi NUMĂR DE PARTE
TSM60NB900CP ROG-DG
PREȚ UNIC
0.64
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB185N55F3
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
STK822
MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK
STP38N65M5
MOSFET N-CH 650V 30A TO220
