Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STD6N60DM2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STD6N60DM2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
RFQ Online
12877330
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STD6N60DM2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ DM2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
274 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
STD6N60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
STD6N60DM2
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK5P60W,RVQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
9180
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK5P60W,RVQ-DG
PREȚ UNIC
0.68
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCD5N60TM-WS
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1550
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCD5N60TM-WS-DG
PREȚ UNIC
0.66
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCD4N60TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
10613
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCD4N60TM-DG
PREȚ UNIC
0.61
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP16NF06FP
MOSFET N-CH 60V 11A TO220FP
STP20NM65N
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
STD7NM80-1
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
STFI15NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAKFP