Numărul de produs al producătorului:
STD12NF06L-1
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STD12NF06L-1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 42.8W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
1913 Piese Noi Originale În Stoc
12878942
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STD12NF06L-1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
STripFET™ II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
42.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I-PAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
STD12
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
STD12NF06L-1-DG
497-6730-5
STD12NF06L1
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STW23NM50N
MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
STW18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A TO247
STF10N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
