Numărul de produs al producătorului:
STB8NM60T4
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB8NM60T4-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12875810
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB8NM60T4 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB8NM60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-5386-1
STB8NM60T4-DG
497-5386-2
497-5386-6
1026-STB8NM60T4
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
R6004KNJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6004KNJTL-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STU10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
STL22N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
STP3NK50Z
MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
