Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STB35N65M5
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB35N65M5-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
RFQ Online
12874968
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB35N65M5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ V
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3750 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
160W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB35
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
STx35N65M5
Informații suplimentare
Alte nume
497-10565-6
-497-10565-6
497-10565-2
497-10565-1
-497-10565-2
-497-10565-1
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SIHB33N60EF-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
758
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHB33N60EF-GE3-DG
PREȚ UNIC
3.33
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R099CPAATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
700
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R099CPAATMA1-DG
PREȚ UNIC
4.17
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R125C6ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2357
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R125C6ATMA1-DG
PREȚ UNIC
2.54
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R099CPATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1212
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R099CPATMA1-DG
PREȚ UNIC
3.99
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R099C6ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2845
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R099C6ATMA1-DG
PREȚ UNIC
2.99
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP3N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220AB
STF20NF06
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
STD26P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
STF42N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP