Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STB200N6F3
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB200N6F3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
292 Piese Noi Originale În Stoc
12876480
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB200N6F3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
STripFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
330W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB200N
Informații suplimentare
Alte nume
497-10025-1
-497-10025-6
1805-STB200N6F3CT
497-10025-2
1805-STB200N6F3DKR
-497-10025-2
-497-10025-1
497-10025-6
1805-STB200N6F3TR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFS3306TRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
86
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFS3306TRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.10
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
BUK764R0-55B,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
6329
DiGi NUMĂR DE PARTE
BUK764R0-55B,118-DG
PREȚ UNIC
1.30
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
PSMN3R0-60BS,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4780
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN3R0-60BS,118-DG
PREȚ UNIC
1.38
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DMTH6004SCTB-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
790
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMTH6004SCTB-13-DG
PREȚ UNIC
0.92
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFS3206TRRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
8293
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFS3206TRRPBF-DG
PREȚ UNIC
1.32
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STL33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
STP2NK60Z
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
STFU24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
STW10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A TO247