Numărul de produs al producătorului:
STB19NM65N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB19NM65N-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
776 Piese Noi Originale În Stoc
12876386
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB19NM65N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB19N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-497-7001-6
1805-STB19NM65NCT
497-7001-6
1805-STB19NM65NTR
497-7001-2
1805-STB19NM65NDKR
-497-7001-2
497-7001-1
-497-7001-1
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPB65R310CFDAATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1407
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB65R310CFDAATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.29
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STW78N65M5
MOSFET N-CH 650V 69A TO247
STF7LN80K5
MOSFET N-CH 800V 5A TO220FP
STD15N65M5
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
