Numărul de produs al producătorului:
STB15NM65N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB15NM65N-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12879564
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
rvre
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB15NM65N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB15N
Informații suplimentare
Alte nume
497-7936-1
497-7936-2
-497-7936-1
-497-7936-2
STB15NM65N-DG
497-7936-6
-497-7936-6
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB18NM80
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB18NM80-DG
PREȚ UNIC
2.07
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPB65R310CFDAATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1407
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB65R310CFDAATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.29
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STL3N80K5
MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
STB141NF55
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STW80NF06
MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3