Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STB11N52K3
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB11N52K3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 525 V 10A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
936 Piese Noi Originale În Stoc
12879926
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB11N52K3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
SuperMESH3™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
525 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
510mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB11N
Informații suplimentare
Alte nume
-497-11839-6
497-11839-1
-497-11839-2
-497-11839-1
497-11839-2
497-11839-6
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFS11N50APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
417
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFS11N50APBF-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFS11N50ATRRP
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFS11N50ATRRP-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTA6N50D2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA6N50D2-DG
PREȚ UNIC
4.58
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFS11N50ATRLP
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
325
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFS11N50ATRLP-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF740SPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1208
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF740SPBF-DG
PREȚ UNIC
1.05
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STD16N60M2
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
PMV40UN,215
MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
STD25NF10LA
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STF35N65M5
MOSFET N-CH 650V 27A TO220FP