Numărul de produs al producătorului:
SCTH35N65G2V-7
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
SCTH35N65G2V-7-DG
Descriere:
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventar:
818 Piese Noi Originale În Stoc
13275922
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SCTH35N65G2V-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1370 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
H2PAK-7
Pachet / Carcasă
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numărul de bază al produsului
SCTH35
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-SCTH35N65G2V-7DKR
497-SCTH35N65G2V-7TR
497-SCTH35N65G2V-7CT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
G3R60MT07J
PRODUCĂTOR
GeneSiC Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1348
DiGi NUMĂR DE PARTE
G3R60MT07J-DG
PREȚ UNIC
10.06
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STL36N60DM6
MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
SCTW35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
SCTW40N120G2VAG
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247