Numărul de produs al producătorului:
SCT10N120
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
SCT10N120-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventar:
12878188
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SCT10N120 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
HiP247™
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SCT10
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-16597-5
Pachet standard
100
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
MSC360SMA120B
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
138
DiGi NUMĂR DE PARTE
MSC360SMA120B-DG
PREȚ UNIC
4.74
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
G3R350MT12D
PRODUCĂTOR
GeneSiC Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
5904
DiGi NUMĂR DE PARTE
G3R350MT12D-DG
PREȚ UNIC
2.97
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
STW15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
