Numărul de produs al producătorului:
MJD122-1
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
MJD122-1-DG
Descriere:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
2794 Piese Noi Originale În Stoc
12876706
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
MJD122-1 Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Darlington
Curent - Colector (Ic) (Max)
8 A
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
100 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Curent - Întrerupere colector (Max)
10µA
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Putere - Max
20 W
Frecvență - Tranziție
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251 (IPAK)
Numărul de bază al produsului
MJD122
Informații suplimentare
Alte nume
MJD122-1-DG
497-16183
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
