Numărul de produs al producătorului:
US6K4TR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
US6K4TR-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 1.5A 1W Surface Mount TUMT6
Inventar:
3427 Piese Noi Originale În Stoc
13525879
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
US6K4TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 10V
Putere - Max
1W
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-SMD, Flat Leads
Pachet dispozitiv furnizor
TUMT6
Numărul de bază al produsului
US6K4
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
US6K4DKR
US6K4CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
QH8MA4TCR
MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
UM6K31NFHATCN
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
US6J12TCR
MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6