Numărul de produs al producătorului:
UM6J1NTN
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
UM6J1NTN-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 200mA 150mW Surface Mount UMT6
Inventar:
18837 Piese Noi Originale În Stoc
13526448
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
UM6J1NTN Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 10V
Putere - Max
150mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
UMT6
Numărul de bază al produsului
UM6J1
Fișa de date și documente
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
UM6J1NTNCT
UM6J1NTNDKR
UM6J1NTNTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SP8J5TB
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
SP8M51FRATB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
SH8KA2GZETB
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP