Numărul de produs al producătorului:
TT8K11TCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
TT8K11TCR-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 3A 1W Surface Mount 8-TSST
Inventar:
13527021
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TT8K11TCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate, 4V Drive
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
71mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1A
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 10V
Putere - Max
1W
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSST
Numărul de bază al produsului
TT8K11
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TT8K11TCRDKR
TT8K11TCRCT
TT8K11TCRTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SP8K2TB
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
SP8K31TB1
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
SP8K52FRATB
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP