Numărul de produs al producătorului:
TT8J21TR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
TT8J21TR-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 2.5A 650mW Surface Mount 8-TSST
Inventar:
3027 Piese Noi Originale În Stoc
13526826
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TT8J21TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1270pF @ 10V
Putere - Max
650mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSST
Numărul de bază al produsului
TT8J21
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TT8J21CT
TT8J21DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NTHD4102PT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTHD4102PT1G-DG
PREȚ UNIC
0.34
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
QS6M4TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
SP8M5FU6TB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
SH8KA4TB
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP