Numărul de produs al producătorului:
SP8K52HZGTB
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
SP8K52HZGTB-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 100V 3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
2354 Piese Noi Originale În Stoc
12972847
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SP8K52HZGTB Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Putere - Max
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP
Numărul de bază al produsului
SP8K52
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-SP8K52HZGTBTR
846-SP8K52HZGTBCT
846-SP8K52HZGTBDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJS6832_S2_00001
MOSFET 2N-CH 30V 1.6A SOT23-6
PJT7807_R1_00001
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT363
PJT138K-AU_R1_000A1
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363