SH8K51GZETB

Numărul de produs al producătorului:

SH8K51GZETB

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

SH8K51GZETB-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 35V 4A 8SOP

Descriere detaliată:

Mosfet Array 35V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventar:

RFQ Online

13527347

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

SH8K51GZETB Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

ROHM Semiconductor

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Not For New Designs

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 N-Channel (Dual)

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

35V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

4A (Ta)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V

Putere - Max

1.4W (Ta)

Temperatura

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pachet dispozitiv furnizor

8-SOP

Numărul de bază al produsului

SH8K51

Informații suplimentare

Alte nume

SH8K51GZETBDKR

SH8K51GZETBTR

SH8K51GZETBCT

Pachet standard

2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

rohm-semi

QS6K21TR

MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6

rohm-semi

SP8M8TB

MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP

rohm-semi

QS6K1TR

MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

rohm-semi

QS8K51TR

MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8