Numărul de produs al producătorului:
SCT3160KLHRC11
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
SCT3160KLHRC11-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W Through Hole TO-247N
Inventar:
669 Piese Noi Originale În Stoc
13526232
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SCT3160KLHRC11 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
398 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
103W
Temperatura
175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247N
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SCT3160
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RQ5C030TPTL
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
RSD046P05TL
MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
RK7002BT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
