SCT3080KLGC11
Numărul de produs al producătorului:

SCT3080KLGC11

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

SCT3080KLGC11-DG

Descriere:

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N

Inventar:

325 Piese Noi Originale În Stoc
13527372
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SCT3080KLGC11 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
165W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247N
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SCT3080

Fișa de date și documente

Informații suplimentare

Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
rohm-semi

RD3L150SNFRATL

MOSFET N-CH 60V 15A TO252

rohm-semi

R6025JNZC8

MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

rohm-semi

R6015ENJTL

MOSFET N-CH 600V 15A LPTS

rohm-semi

RQ5E025SNTL

MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3