SCT3022ALHRC11

Numărul de produs al producătorului:

SCT3022ALHRC11

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

SCT3022ALHRC11-DG

Descriere:

SICFET N-CH 650V 93A TO247N

Descriere detaliată:

N-Channel 650 V 93A (Tc) 339W Through Hole TO-247N

Inventar:

2246 Piese Noi Originale În Stoc

13527044

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

SCT3022ALHRC11 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

ROHM Semiconductor

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

93A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

28.6mOhm @ 36A, 18V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 18.2mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

133 nC @ 18 V

Vgs (Max)

+22V, -4V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2208 pF @ 500 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

339W

Temperatura

175°C (TJ)

Clasă

Automotive

Calificare

AEC-Q101

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247N

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

SCT3022

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

rohm-semi

RS1L180GNTB

MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP

rohm-semi

RSQ030P03TR

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

rohm-semi

QS5U26TR

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5

rohm-semi

RSD160P05TL

MOSFET P-CH 45V 16A CPT3