SCT2080KEHRC11

Numărul de produs al producătorului:

SCT2080KEHRC11

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

SCT2080KEHRC11-DG

Descriere:

SICFET N-CH 1200V 40A TO247N

Descriere detaliată:

N-Channel 1200 V 40A (Tc) Through Hole TO-247N

Inventar:

2244 Piese Noi Originale În Stoc

13526694

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

SCT2080KEHRC11 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

ROHM Semiconductor

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

40A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

117mOhm @ 10A, 18V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 4.4mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

106 nC @ 18 V

Vgs (Max)

+22V, -6V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2080 pF @ 800 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

-

Temperatura

175°C (TJ)

Clasă

Automotive

Calificare

AEC-Q101

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247N

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

SCT2080

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

SCT2080KEHRC11Z

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

rohm-semi

ZDX130N50

MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM

rohm-semi

RCX300N20

MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM

rohm-semi

R6024KNJTL

MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

rohm-semi

RCX050N25

MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM