Numărul de produs al producătorului:
RYM002N05T2CL
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RYM002N05T2CL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Descriere detaliată:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Inventar:
930120 Piese Noi Originale În Stoc
13525239
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RYM002N05T2CL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
50 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
0.9V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 1mA
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
26 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
VMT3
Pachet / Carcasă
SOT-723
Numărul de bază al produsului
RYM002
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Ghid de numerotare a pieselor
Documente de fiabilitate
Informații suplimentare
Alte nume
RYM002N05T2CL-ND
RYM002N05T2CLTR
RYM002N05T2CLCT
RYM002N05T2CLDKR
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6009KNJTL
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
R6010ANX
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
RQ6E060ATTCR
MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
