Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
RV1C002UNT2CL
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RV1C002UNT2CL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 150mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount VML0806
Inventar:
780577 Piese Noi Originale În Stoc
13526363
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RV1C002UNT2CL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
150mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
12 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
VML0806
Pachet / Carcasă
3-SMD, No Lead
Numărul de bază al produsului
RV1C002
Fișa de date și documente
Documente de fiabilitate
VML0806 MOS Reliability Test
Fișe tehnice
RV1C002UNT2CL
VML0806 T2L Taping Spec
Informații suplimentare
Alte nume
RV1C002UNT2CLDKR
RV1C002UNT2CLTR
RV1C002UNT2CLCT
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RJ1L08CGNTLL
MOSFET N-CH 60V 80A LPTL
RSJ650N10TL
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
RS1G120MNTB
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
RSM002N06T2L
MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3