Numărul de produs al producătorului:
RSQ025P03HZGTR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RSQ025P03HZGTR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventar:
1016 Piese Noi Originale În Stoc
12974706
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RSQ025P03HZGTR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
320 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
950mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT6 (SC-95)
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numărul de bază al produsului
RSQ025
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-RSQ025P03HZGTR
846-RSQ025P03HZGCT
846-RSQ025P03HZGDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DI040P04PT
MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
SIHG24N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
FDMC7678-L701
PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
