Numărul de produs al producătorului:
RS6G100BGTB1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RS6G100BGTB1-DG
Descriere:
NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 3W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
2423 Piese Noi Originale În Stoc
12990005
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RS6G100BGTB1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1510 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSOP
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-RS6G100BGTB1DKR
846-RS6G100BGTB1CT
846-RS6G100BGTB1TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RS6L090BGTB1
NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
RS6P060BHTB1
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
RD3L03BBGTL1
NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
