Numărul de produs al producătorului:
RS3E130ATTB1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RS3E130ATTB1-DG
Descriere:
PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 13A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
4956 Piese Noi Originale În Stoc
12975350
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RS3E130ATTB1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3730 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.4W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
RS3E
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-RS3E130ATTB1DKR
846-RS3E130ATTB1TR
846-RS3E130ATTB1CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MSJB17N80-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
IV1Q12050T4
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
PH5830DLX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
