Numărul de produs al producătorului:
RS1E350BNTB
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RS1E350BNTB-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
810 Piese Noi Originale În Stoc
13526606
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RS1E350BNTB Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7900 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSOP
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
RS1E
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RS1E350BNTBTR
RS1E350BNTBCT
RS1E350BNTBDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RS1E350BNTB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2425
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1E350BNTB1-DG
PREȚ UNIC
1.19
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RD3P200SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
RQ6E030SPTR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
RRQ030P03TR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
