Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
RS1E281BNTB1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RS1E281BNTB1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
940 Piese Noi Originale În Stoc
13524284
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
N
O
M
V
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RS1E281BNTB1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Ta), 80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSOP
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
RS1E
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
RS1E281BNTB1
Informații suplimentare
Alte nume
RS1E281BNTB1DKR
RS1E281BNTB1TR
RS1E281BNTB1CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSZ0501NSIATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
10000
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSZ0501NSIATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.62
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
BSC020N03MSGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
32523
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSC020N03MSGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.55
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DMT32M5LPS-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
7475
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMT32M5LPS-13-DG
PREȚ UNIC
0.26
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
CSD17576Q5BT
PRODUCĂTOR
Texas Instruments
CANTITATE DISPONIBILĂ
477
DiGi NUMĂR DE PARTE
CSD17576Q5BT-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
BSC0901NSATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
32490
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSC0901NSATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.45
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RDX120N50FU6
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FM
R8005ANJFRGTL
MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
RQ6E030ATTCR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
RD3L140SPFRATL
MOSFET P-CH 60V 14A TO252