Numărul de produs al producătorului:
RQ3G100GNTB
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RQ3G100GNTB-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
112698 Piese Noi Originale În Stoc
13526488
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RQ3G100GNTB Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
615 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSMT (3.2x3)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
RQ3G100
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RQ3G100GNTBTR
RQ3G100GNTBCT
RQ3G100GNTBDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6024ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
RSF010P05TL
MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
RS1E350GNTB
MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
