Numărul de produs al producătorului:
RQ3E160ADTB1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RQ3E160ADTB1-DG
Descriere:
NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
6000 Piese Noi Originale În Stoc
12975614
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RQ3E160ADTB1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2550 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSMT (3.2x3)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
RQ3E160
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-RQ3E160ADTB1CT
846-RQ3E160ADTB1TR
846-RQ3E160ADTB1DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MCB150N06KY-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
SI2312B-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
MCAC80P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
