Numărul de produs al producătorului:
RP1E090RPTR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RP1E090RPTR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Inventar:
13524359
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RP1E090RPTR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16.9mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
MPT6
Pachet / Carcasă
6-SMD, Flat Leads
Numărul de bază al produsului
RP1E090
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RP1E090RPDKR
RP1E090RPCT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RRH090P03TB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2400
DiGi NUMĂR DE PARTE
RRH090P03TB1-DG
PREȚ UNIC
0.55
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SI4431CDY-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
65416
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI4431CDY-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RU1C002ZPTCL
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
R5009FNX
MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM
RT1A060APTR
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
