Numărul de produs al producătorului:
RF6E065BNTCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RF6E065BNTCR-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Inventar:
13527400
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RF6E065BNTCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
910mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TUMT6
Pachet / Carcasă
6-SMD, Flat Leads
Numărul de bază al produsului
RF6E065
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RF6E065BNTCRTR
RF6E065BNTCRDKR
RF6E065BNTCRCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RQ6E050AJTCR
MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
RCX160N20
MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
R6030KNXC7
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
