Numărul de produs al producătorului:
RF4E110GNTR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RF4E110GNTR-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventar:
6586 Piese Noi Originale În Stoc
13524439
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RF4E110GNTR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
504 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
HUML2020L8
Pachet / Carcasă
8-PowerUDFN
Numărul de bază al produsului
RF4E110
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RF4E110GNTRCT
RF4E110GNTRDKR
RF4E110GNTRTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RD3L140SPTL1
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
R6020KNZC8
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
RTR030P02TL
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3