Numărul de produs al producătorului:
RD3T075CNTL1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RD3T075CNTL1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 7.5A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 7.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
1472 Piese Noi Originale În Stoc
13526735
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RD3T075CNTL1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
325mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
755 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
RD3T075
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RD3T075CNTL1DKR
RD3T075CNTL1CT
RD3T075CNTL1TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
RRF015P03GTL
MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
R6020JNZC8
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
