Numărul de produs al producătorului:
RD3P100SNTL1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RD3P100SNTL1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 10A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
16746 Piese Noi Originale În Stoc
13525904
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RD3P100SNTL1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
133mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
20W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
RD3P100
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RD3P100SNTL1TR
RD3P100SNTL1DKR
RD3P100SNTL1CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R5005CNJTL
MOSFET N-CH 500V 5A LPTS
R6018JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
R6020KNJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
