Numărul de produs al producătorului:
RD3L03BATTL1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RD3L03BATTL1-DG
Descriere:
PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 35A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
12798 Piese Noi Originale În Stoc
12948895
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RD3L03BATTL1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1930 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
56W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
RD3L03
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-RD3L03BATTL1CT
846-RD3L03BATTL1DKR
846-RD3L03BATTL1TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RQ7G080ATTCR
PCH -40V -8A SMALL SIGNAL POWER
RD3G01BATTL1
PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
RQ6L035ATTCR
PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
