Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
RAQ045P01TCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RAQ045P01TCR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventar:
7835 Piese Noi Originale În Stoc
13525993
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RAQ045P01TCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
600mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT6 (SC-95)
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numărul de bază al produsului
RAQ045
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
RAQ045P01TCR
Informații suplimentare
Alte nume
RAQ045P01TCRCT
846-RAQ045P01TCRTR
RAQ045P01TCRDKR-ND
RAQ045P01TCRTR-ND
RAQ045P01TCRDKR
846-RAQ045P01TCRCT
846-RAQ045P01TCRDKR
RAQ045P01TCRCT-ND
RAQ045P01TCRTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6024ENZC8
MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
RD3L050SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 5A TO252
RF4E070BNTR
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
RSH065N03TB1
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOP