Numărul de produs al producătorului:
R8008ANJFRGTL
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R8008ANJFRGTL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventar:
13527082
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R8008ANJFRGTL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.03Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
195W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LPTS
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
R8008
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
R8008ANJFRGTLDKR
R8008ANJFRGTLCT
R8008ANJFRGTLTR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
R8008ANJGTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
921
DiGi NUMĂR DE PARTE
R8008ANJGTL-DG
PREȚ UNIC
2.54
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RSC002P03T316
MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
RDD022N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
