Numărul de produs al producătorului:
R8007AND3FRATL
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R8007AND3FRATL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
4934 Piese Noi Originale În Stoc
12945904
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R8007AND3FRATL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
140W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
R8007
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-R8007AND3FRATLCT
846-R8007AND3FRATLTR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R8002CND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 2A TO252
RRR030P03HZGTL
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
IMBG120R060M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
