R6509ENJTL
Numărul de produs al producătorului:

R6509ENJTL

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

R6509ENJTL-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount LPTS

Inventar:

88 Piese Noi Originale În Stoc
12851419
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
a61u
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

R6509ENJTL Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
94W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LPTS
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
R6509

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
846-R6509ENJTLDKR
846-R6509ENJTLTR
846-R6509ENJTLCT
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IXTA8N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
90
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA8N65X2-DG
PREȚ UNIC
1.41
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
rohm-semi

R6507KNJTL

MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

rohm-semi

R6011KND3TL1

MOSFET N-CH 600V 11A TO252

onsemi

FDMS3006SDC

MOSFET N-CH 30V 34A DUAL COOL56

onsemi

FDMA037N08LC

MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN