R6507ENJTL
Numărul de produs al producătorului:

R6507ENJTL

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

R6507ENJTL-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount LPTS

Inventar:

998 Piese Noi Originale În Stoc
12851448
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

R6507ENJTL Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LPTS
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
R6507

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
846-R6507ENJTLDKR
846-R6507ENJTLTR
846-R6507ENJTLCT
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

HUF76629D3

MOSFET N-CH 100V 20A IPAK

onsemi

FDS6689S

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

onsemi

FDG410NZ

MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88

onsemi

FDU5N60NZTU

MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3