R6507ENJTL

Numărul de produs al producătorului:

R6507ENJTL

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

R6507ENJTL-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

Descriere detaliată:

N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount LPTS

Inventar:

998 Piese Noi Originale În Stoc

12851448

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

R6507ENJTL Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

ROHM Semiconductor

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

650 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

7A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

665mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

390 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

78W (Tc)

Temperatura

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

LPTS

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numărul de bază al produsului

R6507

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

846-R6507ENJTLDKR

846-R6507ENJTLTR

846-R6507ENJTLCT

Pachet standard

1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

HUF76629D3

MOSFET N-CH 100V 20A IPAK

onsemi

FDS6689S

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

onsemi

FDG410NZ

MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88

FDU5N60NZTU

MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3