Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
R6046FNZ1C9
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6046FNZ1C9-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
278 Piese Noi Originale În Stoc
12823329
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6046FNZ1C9 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6230 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
120W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
R6046FNZ1C9-DG
Fișe tehnice
R6046FNZ1C9
Informații suplimentare
Alte nume
846-R6046FNZ1C9
Pachet standard
450
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK31N60X,S1F
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
20
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK31N60X,S1F-DG
PREȚ UNIC
2.57
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STW48N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
590
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW48N60DM2-DG
PREȚ UNIC
3.88
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFL82N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
25
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFL82N60P-DG
PREȚ UNIC
24.34
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFX64N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
911
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX64N60P-DG
PREȚ UNIC
13.25
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6050JNZ4C13
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
545
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6050JNZ4C13-DG
PREȚ UNIC
11.16
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CPC3708CTR
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT89
IPU80R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
IRF6644TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET