Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
R6035ENZ1C9
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6035ENZ1C9-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
RFQ Online
13525551
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6035ENZ1C9 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2720 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
120W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
R6035ENZ1C9
Informații suplimentare
Pachet standard
450
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK25N60X,S1F
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK25N60X,S1F-DG
PREȚ UNIC
2.01
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFB82N60Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
21
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFB82N60Q3-DG
PREȚ UNIC
30.74
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFX64N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
1060
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX64N60P3-DG
PREȚ UNIC
8.28
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPW65R125C7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
80
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW65R125C7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.31
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFK64N60Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
25
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFK64N60Q3-DG
PREȚ UNIC
26.73
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RTU002P02T106
MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3
RSJ300N10TL
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
RHU002N06T106
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
SCT3017ALHRC11
SICFET N-CH 650V 118A TO247N