Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
R6030KNZC8
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6030KNZC8-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventar:
RFQ Online
13526073
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6030KNZC8 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
86W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3PF
Pachet / Carcasă
TO-3P-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
R6030
Informații suplimentare
Alte nume
R6030KNZC8CTINACTIVE
R6030KNZC8CT
R6030KNZC8DKRINACTIVE
R6030KNZC8TR
R6030KNZC8TR-ND
R6030KNZC8DKR-ND
R6030KNZC8CT-ND
R6030KNZC8DKR
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFX48N60Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
38
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX48N60Q3-DG
PREȚ UNIC
17.23
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFK48N60Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
6
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFK48N60Q3-DG
PREȚ UNIC
17.55
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFX48N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX48N60P-DG
PREȚ UNIC
11.94
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFR64N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFR64N60P-DG
PREȚ UNIC
12.60
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFK48N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFK48N60P-DG
PREȚ UNIC
12.30
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
RF4E100AJTCR
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
R6020KNX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
RRH100P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP