Numărul de produs al producătorului:
R6025JNXC7G
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6025JNXC7G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
1975 Piese Noi Originale În Stoc
13525952
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6025JNXC7G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 12.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 4.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FM
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
R6025
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RDD020N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
RQ3L090GNTB
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
RRR040P03TL
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
