R6022YNX3C16
Numărul de produs al producătorului:

R6022YNX3C16

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

R6022YNX3C16-DG

Descriere:

NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

998 Piese Noi Originale În Stoc
13002811
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

R6022YNX3C16 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 1.8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
205W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
846-R6022YNX3C16
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
nexperia

BUK4D72-30X

BUK4D72-30X

onsemi

NVMJST2D6N08HTXG

TRENCH 8 80V LFPAK 5X7

diodes

DMN2991UFB4Q-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

onsemi

NVLJWS013N03CLTAG

T6 30V LL 2X2 WDFNW6