R6018VNXC7G
Numărul de produs al producătorului:

R6018VNXC7G

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

R6018VNXC7G-DG

Descriere:

600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 61W (Tc) Through Hole TO-220FM

Inventar:

1050 Piese Noi Originale În Stoc
12976148
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

R6018VNXC7G Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
204mOhm @ 4A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 600µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1250 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
61W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FM
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
R6018

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
846-R6018VNXC7G
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
rohm-semi

R6020YNXC7G

600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN

rohm-semi

R8002ANJGTL

NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002

onsemi

FQA28N50-ON

28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL

toshiba-semiconductor-and-storage

TK60S10N1L,LXHQ

MOSFET N-CH 100V 60A DPAK